可靠性測試
加速測試
大多數半導體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應力。施加的應力可增強或加快潛在的故障機制，幫助找出根本原因，并幫助 TI 采取措施防止故障模式。
在半導體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數情況下，加速測試不改變故障的物理特性，但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。
以下是常見的半導體可靠性測試項目和條件：
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類別 |
測試項目 |
測試條件 |
測試時間 |
樣品數 |
判定 |
參考標準 |
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壽命試驗 |
HTGB |
Ta=150℃，100%VgsMax |
168/500 hrs |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A108 |
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HTRB |
Ta=150℃，80%VdsMax |
168/500 hrs |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A108 |
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環境應力實驗 |
Precondition |
30℃/60%RH+3 cycle reflow@260℃ (MSL3) |
192hrs |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A113 |
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HTST |
Ta=150℃ |
168/500 hrs |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A103 |
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TCT |
-65~150℃ |
500Cycle |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A104 |
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UHAST |
130℃/85%RH/33.3psia |
96hrs |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A118 |
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PCT |
121℃/100%RH/29.7psia |
96hrs |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A102 |
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THT |
85℃/85%RH |
168/500 hrs |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A102 |
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H3TRB |
85℃，85%RH，80% VDS, up to 100V |
168/500/1000hrs |
77Pcs |
0/1 |
JESD22-A101 |
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IOL |
△Tj>100℃ |
Package dependent |
77Pcs |
0/1 |
MIL-STD-750 Method 1037 |
靜電放電 (ESD)
靜電荷是靜置時的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產生；一個表面獲得電子，而另一個表面失去電子。其結果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。當靜電荷從一個表面移到另一個表面時，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。當靜電荷移動時，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結。
JEDEC 通過兩種方式測試 ESD：
1.人體放電模型 (HBM)
一種組件級應力，用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。
2.帶電器件模型 (CDM)
一種組件級應力，根據 JEDEC JESD22-C101 規范，模擬生產設備和過程中的充電和放電事件。
